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    测试的一般步骤介绍
    来源:与非网(节?。?/span> | 作者:chnchip | 发布时间: 2021-08-02 | 553 次浏览 | 分享到:

    测试的主要目标是检验半导体芯片的质量是否达到一定标准,从而消除不良产品、并提高芯片的可靠性。另外,经测试有缺陷的产品不会进入封装步骤,有助于节省成本和时间。电子管芯分选 (EDS) 就是一种针对晶圆的测试方法。

     

    EDS是一种检验晶圆状态中各芯片的电气特性并由此提升半导体良率的工艺。EDS可分为五步,具体如下 :

     

     

    01电气参数监控 (EPM)
    EPM是半导体芯片测试的第一步。该步骤将对半导体集成电路需要用到的每个器件(包括晶体管、电容器和二极管)进行测试,确保其电气参数达标。EPM的主要作用是提供测得的电气特性数据,这些数据将被用于提高半导体制造工艺的效率和产品性能(并非检测不良产品)。

     

    02晶圆老化测试
    半导体不良率来自两个方面,即制造缺陷的比率(早期较高)和之后整个生命周期发生缺陷的比率。晶圆老化测试是指将晶圆置于一定的温度和AC/DC电压下进行测试,由此找出其中可能在早期发生缺陷的产品,也就是说通过发现潜在缺陷来提升最终产品的可靠性。

     

    03检测
    老化测试完成后就需要用探针卡将半导体芯片连接到测试装置,之后就可以对晶圆进行温度、速度和运动测试以检验相关半导体功能。具体测试步骤的说明请见表格。

     

     

    04修补
    修补是最重要的测试步骤,因为某些不良芯片是可以修复的,只需替换掉其中存在问题的元件即可。

     

    05点墨
    未能通过电气测试的芯片已经在之前几个步骤中被分拣出来,但还需要加上标记才能区分它们。过去我们需要用特殊墨水标记有缺陷的芯片,保证它们用肉眼即可识别,如今则是由系统根据测试数据值自动进行分拣。




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