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    一片晶圆能切割多少片芯片?
    来源: 芯存社 | 作者:chnchip | 发布时间: 2021-06-03 | 694 次浏览 | 分享到:

    一片晶圆到底可以切割出多少的晶片数目?

    这个要根据你的die的大小和wafer的大小以及良率来决定的。

    目前业界所谓的6寸,12寸还是18寸晶圆其实就是晶圆直径的简称,只不过这个吋是估算值。实际上的晶圆直径是分为150mm,300mm以及450mm这三种,而12吋约等于305mm,为了称呼方便所以称之为12吋晶圆。

    国际上Fab厂通用的计算公式:

    再将公式化简的话就会变成:

    X就是所谓的晶圆可切割晶片数(dpw die per wafer)。


    科普:wafer、 die 的区别

    我们先从一片完整的(Wafer)说起:

    Wafer ,由纯硅(Si)构成。一般分为6英寸、8英寸、12英寸规格不等,晶片就是基于这个wafer上生产出来的。

    Wafer上的一个小块,就是一个晶片晶圆体,学名die,封装后就成为一个颗粒。一片载有Nand Flash晶圆的wafer,wafer首先经过切割,然后测试,将完好的、稳定的、足容量的die取下,封装形成日常所见的Nand 。那么,在wafer上剩余的,要不就是不稳定,要不就是部分损坏所以不足容量,要不就是完全损坏。原厂考虑到质量保证,会将这种die宣布死亡,严格定义为废品全部报废处理。

    品质合格的die切割下去后,原来的就成了下图的样子,就是挑剩下的Downgrade Flash Wafer。

    这些残余的die,其实是品质不合格的。被抠走的部分,也就是黑色的部分,是合格的die,而不合格的部分,也就是图中留下的部分则当做废品处理掉。



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